| 支持Byte BadColumn | |
| 支持512~16K Page | |
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支持SLC/MLC/部分TLC |
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| 支持1.8v/3.3v 8Bit Nand Flash | |
| 支持双片选 | |
| 最大纠错能力57Bit/1K | |
CBM2299ES
产品参数
| 支持Byte BadColumn | |
| 支持512~16K Page | |
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支持SLC/MLC/部分TLC |
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| 支持1.8v/3.3v 8Bit Nand Flash | |
| 支持双片选 | |
| 最大纠错能力57Bit/1K | |
| 支持SPI Slave协议,总线宽度支持1/2/4 bit,最高支持104MHz时钟频率 | |
| 支持ONFI1.0 异步模式标准,支持8/16 bit Flash。支持最快20ns访问速度 | |
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16 bitFlash最高支持2个片选;8bitFlash最高支持8个片选 |
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| 支持2Kbyte/4Kbyte Page SLC FLASH | |
| 支持4-14 bit ECC纠错能力 | |
| 多样化的数据格式管理 | |
| 支持8K-Bytes OTP单元, 大小可配置 | |
| 采用BCHECC纠错算法,最高支持30bit/1K; | |
| 最高支持2KB/PAGEflash,最高支持1KPAGE/Block | |
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支持3.3v/1.8v Flash; |
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| PAD/电源地可配置,且LDO驱动能力支持软件配置; | |
| 最高频率166MHz 工作电压:1.7V~3.6V | |
| 无线802.11n(2.4/5G)&有线1000M | |
| 3072x3072pixs 连续3fps; 采集矩阵/速率 | |
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768x768pixs连续30fps。 |
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| 4.9KG/承重135Kg/460x460x15.5(mm) | |
| 6000mAh/44.4Wh/8.4V,15秒快速换电、充电时间≤3H | |
| 支持3.3V/1.8V, 8bit/16bit Nand Flash; | |
| 支持512B-8KB page size,7bit-43bit ecc纠错能力 | |
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创新的不间断纠错机制; |
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| 支持SD/MMC 1bit/4bit Host读卡器功能 | |
| 支持SPIhost读卡器功能 | |
| 采用BCHECC纠错算法,最高支持72bit/1K | |
| 最高支持16KB/PAGE flash,最高支持8192Page/Block | |
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PAD/电源地可配置,且LDO驱动能力支持软件配置; |
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| 支持3.3v/1.8v Flash,支持3.3v/1.8v 电压自动trimming | |
| 待机电流<0.1uA,待机功耗<0.5uW(低功耗专利) | |